美国宾夕法尼亚州立大学发现利用碳掺杂可改变2D半导体材料性质

【据美国宾夕法尼亚州立大学网址2019年5月28日报导】美国宾夕法尼亚州立大学的科技人员发觉，可根据掺杂真空碳氢(CH)分子结构来明显更改单面分子薄厚的半导体材料原材料二硫化钨(WS2)的热学特性，并根据试验确认。在掺杂前，WS2主要表现为单极N型传输，伴随着碳掺杂水准的提升，CH-WS2单面刚开始出現P型支系，最后可彻底变换为P型。根据操纵碳掺杂水准，能够在WS2中转化成N /P/N 和P /N/P 结。当今相关2D原材料掺杂的毕业论文很少，由于这一全过程涉及到许多 繁杂标准和全过程。PSU精英团队的方法是，应用等离子技术輔助将甲烷气体的裂化溫度减少到400摄氏。该科学研究获得了美国电力部科学研究公司办公室基本能源科学方案的适用，有关毕业论文《Carbon doping of WS2 monolayers: Bandgap reduction and p-type doping transport》已在Science Advances上发布。